PT4115E 50V/1.5A降压型 ,高亮度LED恒流驱动器 华润矽威科技(上海)有限公司 PT4121_AN01_Rev CH1.0 PT4115E 应用说明 产品功能 50V/1.5A 降压型,高亮度恒流驱动器 常规应用 DC 输入: 24V/48V、AC 输入:24VAC DC 输出:10V/1A 文件编号 PT4115E_AN01 版本 1.0 1. 产品概况 1.1 特点 很宽的输入电压范围:6V 到 50V 效率高达 97% 3%的输出电流精度 复用 DIM 引脚进行 LED 开关、模拟调光与 PWM 调光 RCS 开路保护 LED 开路保护 热关断保护 SOT89-5 封装 1.2 概述 PT4115E 是一款工作在连续电感电流导通模式的降压型恒流驱动芯片,用于驱动一颗或 多颗串联 LED,输出电流精度高达 3%。PT4115E 输入电压范围从 6V 到 50V,输出电流可调, 较大可达 1.5A。其采用高端电流采样电阻设置 LED 平均电流,并通过 DIM 引脚进行模拟调光 和 PWM 调光。 2. 典型应用电路 Rs Rs I OUT 0.2 / 2 0.17 0.23 Rs Rs I OUT 0.2 / 2 0.17 0.23 PT4115E 50V/1.5A降压型 ,高亮度LED恒流驱动器 华润矽威科技(上海)有限公司 PT4121_AN01_Rev CH1.0 PT4115E DEMO BOARD BOM List Item Reference Value Quantity Description 1 C2 10μF//10uF 2 CAP SMD 50V 10μF K X7R 1210 2 C3 0.1μF 1 CAP SMD 100V 0.1μF K X7R 0805 3 D1 0 1 短接 4 R4 0 1 RES SMD 1/8W 0ohm J 0805 5 C4 1μF 1 CAP SMD 50V 1μF K X7R 1206 6 C5 0.1μF 1 CAP SMD 16V 0.1μF K X7R 0805 7 C1、D2、D4、D5、R2、R3 NC 8 D3 SS210 1 Diode Schottky SMB 100V 2A 9 L1 68μH 1 INDUCTOR 68μH 12.15*12.15*7.5mm 10 R1 0.33R//0.47R 2 RES SMD 1/4W 0.2ohm J 1206 11 U1 PT4115E 1 IC Powtech PT4115E SOT89-5 3. 工作原理介绍 PT4115E和电感(L)、电流采样电阻(RS)形成一个自振荡的连续电感电流模式的降压 型恒流LED驱动器。 VIN上电时,电感(L)和电流采样电阻(RS)的初始电流为零,LED输出电流也为零。 这时候,CS比较器的输出为高,功率开关导通,电流通过电感(L)、电流采样电阻(RS)、 LED和功率开关从VIN流到地,电流上升的斜率由VIN、电感(L)和LED压降决定,在RS上 产生一个压差VCSN, 当(VIN-VCSN) > 230mV时,CS比较器的输出变低,功率开关关断, 电流以另一个斜率流过电感(L)、电流采样电阻(RS)、LED和肖特基二极管(D),当(VIN-VCSN) < 170mV时,功率开关重新打开,这样使得在LED上的平均电流为 4. 关键元件参数设计 4.1 输出电流的设置 上述等式成立的前提是 DIM 端悬空或外加 DIM 端电压** 2.5V(但必须低于 5V)。实际 上,RS 是设定了 LED 的较大输出电流,通过 DIM 端,LED 实际输出电流能够调小到任意值。 高端电流采样结构使得外部元器件数量很少,采用 1%精度的采样电阻,LED 输出电流控 制在±3%的精度。薄膜贴片电阻按照额定功率的 70%降额使用,例如输出电流 1A,采样电阻 建议使用两个 1/4W、1206 的 0.33Ω与 0.47Ω并联。 4.2 续流二极管的选择 为了保证较高的效率以及性能,二极管(D)应选择快速恢复、低正向压降、低寄生 电容、低漏电的肖特基二极管,电流能力以及耐压视具体的应用而定,但应保持30%的余 量,有助于稳定可靠的工作。 1 * *(1 ) OUT OUT C OUT IN IN V V I I V V 2 OUT I (1 / ) 1 0.3 OUT IN OUT LED V V V L I fsw * 1 2 * * 1 IN OUT OUT LP OUT sw IN V V V I I f L V PT4115E 50V/1.5A降压型 ,高亮度LED恒流驱动器 华润矽威科技(上海)有限公司 PT4121_AN01_Rev CH1.0 另外值得注意的一点是应考虑温度**85°C时肖特基的反向漏电流。过高的漏电会增 加系统的功率耗散。 AC24V整流二极管(D)一定要选用低压降的肖特基二极管,以降低自身功率耗散。 4.3 输入电容 C1 的选择 输入电容需要吸收输入端的开关电流,要求承受充足的纹波电流有效值。输入电容的 纹波电流有效值 IC1 可按如下公式计算: 当输入电压是输出电压的2倍时,IC1较大,为 。因此,推荐选择纹波电流有效值 大于输出电流的1/2,典型耐压值为50V,容值≥22μF,X7R或者更高等级的瓷片电容。 4.4 电感 L1 的选择 选择电感时,需要考虑以下方面: 1. 选择较低的电感值会提高开关频率,增大开关损耗。大部分应用建议选择开关频率 在100kHz至500kHz(典型值200KHz),建议纹波电流选取大约为开关电流峰值的 30%,则对应的电感L1可通过以下公式计算: 其中 fSW 为开关频率,ILED为 LED 输出电流。 2. 输出电流为 IOUT时,选择的电感的额定饱和电流值大于电感的峰值电流,至少留有 30%的裕量即 ISAT=1.3ILP。电感的峰值电流 ILP可按如下公式计算: IOUT为 LED 输出电流。 3. 在开关频率较高时,电感的DCR内阻和磁心损耗必须足够低才能实现要求的效率指 标。建议选择一个DCR内阻小于50 mΩ 电感来实现高的总效率。 4.5输出电容 C2 的选择 对应大部分应用,可不使用输出电容。如果需要减少输出电流纹波,一个较有效 的方法即在LED的两端并联一个容2.2μF的电容可满足大部分需求。适当的增大输出电 容可以抑制更多的纹波. 需要注意的是输出电容不会影响系统的工作频率和效率,但 是会影响系统启动延时以及调光频率。 4.6 模拟调光 DIM端可以外加一个直流电压(VDIM)调小LED输出电流,较大LED输出电流由(0.2/RS) 设定。 LED 平均输出电流计算公式: S DIM OUT 2 5 R 0 2 V I . . (0.5V V 2.5V) DIM (2.5V V 5V) DIM S OUT R 0.2 I S OUT R 0 2 D I . (0 D **,2.5V V 5V) pulse S pulse OUT 2 5 R V 0 2 D I . . (0 D **,0.5V V 2.5V) pulse PT4115E 50V/1.5A降压型 ,高亮度LED恒流驱动器 华润矽威科技(上海)有限公司 PT4121_AN01_Rev CH1.0 VDIM在 范围内LED保持**电流等于 4.7 PWM 调光 LED的较大平均电流由连接在VIN和CSN两端的电阻RS决定,通过在DIM管脚加入可 变占空比的PWM信号可以调小输出电流以实现调光,计算方法如下所示: 如果高电平小于2.5V,则 通过 PWM 调光,LED 的输出电流可以从 0%到 **变化。LED 的亮度是由 PWM 信号的占空比决定的。例如 PWM 信号 25%占空比,LED 的平均电流为(0.2/RS)的 25%。 建议设置 PWM 调光频率在 100Hz 以上,以避免人的眼睛可以看到 LED 的闪烁。PWM 调 光比模拟调光的优势在于不改变 LED 的色度。PT4115E 调光频率较高可达 20kHz. 4.8 软启动 输出电流很大且输入电压源输出电流能力有**,可通过在DIM接入一个外部电容C6 至GND,使得启动时DIM端电压缓慢上升,这样LED的电流也缓慢上升,从而实现软启动 同时可避免输入电压源被限流。建议电容值选取0.47µF的0805瓷片电容,在电容两端加肖 特基二极管到VIN加速电容放电可解决连续开关机IC无法正常启动的情况。 4.9 IC 过热保护 PT4115E 内部设置了过温保护功能(TSD),以保证系统稳定可靠的工作。当 IC 芯片 温度**出 150℃,IC 即会进入 TSD 保护状态并停止电流输出,而当温度低于 130 时,IC 即会重新恢复至正常工作状态。 PT4115E 50V/1.5A降压型 ,高亮度LED恒流驱动器 华润矽威科技(上海)有限公司 PT4121_AN01_Rev CH1.0 5. PCB Layout 注意事项 合理的 PCB 布局设计对实现芯片的稳定工作是至关重要的。 1. 当输入电容离芯片的 VIN 引脚水平距离很远时,寄生电感会较大,上电过程中较大 di/dt 在寄生电感上产生的噪声会影响芯片的采样,致 IC 工作出现异常。避免上述问题,需 在靠近芯片 VIN 引脚至 GND 并联一个 0.1µF 的瓷片电容。 错误的 PCB Layout 示意图 1: 正确的 PCB Layout 示意图 2: 较好的 PCB Layout 示意图 3: 2.电流采样电阻 Rs 尽可能靠近芯片 VIN 与 CSN 引脚以减小电流采样误差; 3.电流环路,包括输入电容、采样电阻、电感、肖特基二极管,应尽可能短; 4.为了有效地减小电流环路的噪声,输入旁路电容建议单点接地。输入电容C1的地与 MOS 管 Q1 的地均为功率地,芯片 U1 的地为信号地,正确的做法是“MOS 管 Q1 的地先与输 入电容 C1 的地连接然后再由输入电容的单点地连接至芯片 U1 的地”。 PT4115E 50V/1.5A降压型 ,高亮度LED恒流驱动器 华润矽威科技(上海)有限公司 PT4121_AN01_Rev CH1.0 示意图如下: 错误的做法 正确的做法 5.MOS 管的 DRAIN 端是开关节点,走线尽可能短且远离芯片,以减小电感的辐射。 PCB Layout 参考图 TOP Layer BOTTOM Layer 6. 散热注意事项 当系统工作的环境温度较高及驱动大电流负载时,必须要注意避免系统达到功率较 限。在实际应用中,要求达到每25mm2 的PCB 大约需要1oz 敷铜的电流密度以有利于散 热。若PCB板允许,请尽量多敷铜,并连接至电源的GND,以吸收电感的干扰,也有利于 散热。 7. 应用注意事项 7.1输出负载使用电子负载的 CV 模式时,由于电子负载响应速度较慢,当无输出电容或 输出电容较小时,PT4115E 会出现工作异常。改善的措施:加大输出电容,延长启动 时间,当启动时间大于电子负载响应时间时,PT4115E 在 CV 模式下也能正常工作。 7.2测试 PT4115E 开关机及动态性能时,输出负载务必采用 LED 灯。 8. Revision History PT4115E 50V/1.5A降压型 ,高亮度LED恒流驱动器 华润矽威科技(上海)有限公司 PT4121_AN01_Rev CH1.0 Date Author Revision De